Исследования показывают, что когда нейронам необходимо запомнить информацию, в их ДНК возникают разрывы, что приводит к активации генов, укрепляющих связи между нейронами. Эти соединения, называемые синапсами, играют ключевую роль в формировании новых нейронных цепочек, необходимых для хранения информации.

Недавние эксперименты, проведенные сотрудниками Массачусетского технологического института, подтверждают эту теорию. Ученые проводили исследования на клеточных культурах нейронов, а затем на мышах. В ходе эксперимента животным наносили легкие электрические удары по лапам, чтобы создать негативную ассоциацию с определенной клеткой. В результате у мышей, подвергшихся воздействию тока, в ДНК нейронов наблюдались двойные разрывы, которые в два раза превышали количество таковых у контрольной группы.

Наибольшее количество разрывов регистрировалось в нейронах гиппокампа и префронтальной коры, областях мозга, ответственных за запоминание различных жизненных обстоятельств. Эти повреждения активировали более 100–150 генов, которые влияют на силу синапсов, что подтверждает связь между разрывами в ДНК и процессом формирования памяти.

Важно отметить, что повреждения в ДНК были также обнаружены в астроцитах — клетках, поддерживающих нейроны и влияющих на нейронные импульсы. Исследования показали, что астроциты участвуют в запоминании неприятных событий и чувствительны к глюкокортикоидам, гормонам, уровень которых повышается в условиях стресса. Отключение рецепторов к этим гормонам значительно снижало количество разрывов в ДНК астроцитов, что может указывать на их роль в активации генов, способствующих формированию памяти.

Несмотря на полученные результаты, ученые подчеркивают необходимость дополнительных исследований для более глубокого понимания процессов, связанных с разрывами в ДНК нейронов и астроцитов. В частности, необходимо проверить, как отключение механизма, вызывающего разрывы в ДНК, повлияет на память.